五、⑴ 通 常 成 長 二 氧 化 矽 （ SiO2 ） 或 矽 的 氧 化 層 薄 膜 的 方 式 有 熱 氧 化 法 （ ThermalOxidation）中的乾氧化（Dry Oxidation）與濕氧化（Wet Oxidation），化學氣相沉 積 （ Chemical Vapor Deposition ） ， 與 電 漿 加 強 式 化 學 氣 相 沉 積 （ Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）。若要成長應用於金氧半電晶體（MOSFET）的高品質二氧化矽薄膜，應該使用那一種氧化技術？請說明原因。（10 分）