三、⑴現今半導體製程都使用 n 型高摻雜的多晶矽做為 npn 雙極性接面電晶體(BipolarJunction Transistor,BJT)的射極層與歐姆接觸層,以取代傳統的 n 型高摻雜單晶矽與金屬歐姆接觸層,請說明原因。(10 分)

參考答案

答案:C
難度:非常簡單0.915138
統計:A(9),B(12),C(399),D(16),E(0)

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