1. 下列有關pn 接面二極體（pn junction diode）特性之敘述，何者正確？
(A)在p型矽((（p-type silicon）區域沒有電子存在
(B)當矽的摻雜濃度越高時，其接面內建電壓（built-in voltage）的值越小
(C)以接面處為起點，空乏區的寬度會比較深入摻雜濃度較低的一邊
(D)空乏區（depletion region）的寬度隨著逆向偏壓的絕對值之增加而減少。