問題詳情
⑵若以熱氧化法（Thermal Oxidation）在矽晶圓上成長二氧化矽（SiO2）薄膜，已知矽的原子量是 28，矽的密度是 2.33；氧的原子量是 16；二氧化矽的密度是 2.2。請問矽晶圓消耗的厚度占成長出二氧化矽薄膜的厚度的百分之幾？（10 分）
參考答案
答案：C
難度：適中0.429268
統計：A(68),B(16),C(88),D(9),E(0) #
個人：尚未作答書單：自然失業的類型
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